本款8寸2μm超薄多孔陶瓷真空承载盘,超薄板厚仅0.8mm,微孔孔径精准控制在2μm级别,采用高纯氧化铝精密配方一体高温烧结而成,属于半导体超薄晶圆专用无痕真空吸附基材。微孔三维贯通、孔径高度均一,配合超精密平面研磨工艺,实现全域均匀负压吸附,解决超薄硅片、碳化硅晶圆在磨削、抛光、检测、划片工艺中的翘曲、压痕、碎片、表面划伤难题,适配高端半导体、光学精密加工设备定制配套需求。
立即咨询
本款8寸2μm超薄多孔陶瓷真空承载盘,超薄板厚仅0.8mm,微孔孔径精准控制在2μm级别,采用高纯氧化铝精密配方一体高温烧结而成,属于半导体超薄晶圆专用无痕真空吸附基材。微孔三维贯通、孔径高度均一,配合超精密平面研磨工艺,实现全域均匀负压吸附,解决超薄硅片、碳化硅晶圆在磨削、抛光、检测、划片工艺中的翘曲、压痕、碎片、表面划伤难题,适配高端半导体、光学精密加工设备定制配套需求。
孔径稳定2μm,孔隙率均匀可控;微孔相互贯通、透气一致性高,吸附力柔和均匀,超薄工件无局部应力变形。
特殊烧结配方,薄板抗弯性能优异,成品平整度可达微米级;整体刚性好、不易翘曲,长期真空循环使用形变小,可反复研磨修复,使用寿命更长。
高温致密烧结,无游离颗粒,不易截留硅粉、磨屑,清洗维护便捷;适配Class 1000及以上洁净车间,避免晶圆二次污染,大幅提升良率。
高纯度氧化铝材质,绝缘性能优秀,可做防静电改性;耐酸碱清洗液腐蚀、热稳定性强,适配湿法清洗、干式抛光多工艺环境。
表面经过纳米级抛光处理,光滑细腻无毛刺,不会刮伤晶圆背面;可后续精密修形、局部离子束抛光,满足平面度、面形精度定制要求。
0.8mm超薄设计,重量轻、响应速度快,适配高速运动平台、气浮工作台,降低设备负载与动态误差。
8英寸(200mm)
0.8 mm(超薄定制款)
2 μm
高纯氧化铝多孔陶瓷(可选碳化硅材质)
30%~40%(可定制)
8英寸超薄硅片、碳化硅、蓝宝石晶圆研磨/减薄/抛光承载
半导体晶圆光学检测、轮廓测量平台
划片、切割、镀膜工序无痕真空吸盘基材
光学玻璃、超薄陶瓷片精密加工吸附治具
高端离子束抛光、精密磨削设备真空承载部件
来图定制、单件定制、配套金属/陶瓷底座总成开发
请联系我们
获取报价 | 技术方案 | 样品测试